EUV光刻技术的杰作5nm及以下节点的多重曝光工艺

  在芯片制作的完整过程中，为了将掩模版上的设计线路图形转移到硅片上，第一步是要通过曝光工艺（光刻）来实现转移，然后通过刻蚀工艺得到硅图形。光刻技术最早应用于印刷行业，并且是早期制造PCB的主要技术。自20世纪50年代开始，光刻技术逐步成为集成电路芯片制造中图形转移的主流技术。

  过去几十年里，芯片制造商一直使用193nm波长的ArF深紫外(DUV)光刻技术来生产芯片。

  不过随着集成电路制造工艺持续微缩，尤其在进入7nm、5nm时代后，芯片集成度不断的提高，在追求更高的图形密度的目的之下，无论如何改进ArF光的生产的基本工艺，都无法再满足相应需求。

  因为在7nm节点集成电路产品工艺技术的开发上，采用193浸式（193i）光刻技术有必要进行四重曝光，这在某种程度上预示着需要多次更换掩膜版，使得在多重对准方面面临极大的挑战，良品率难以提高、量产难度增大。

  为解决这一问题，极紫外（EUV）光刻技术适时而生。因其波长短（13.5nm）、分辨率比较高，可以在一定程度上完成更好的保真度，且只需进行单次图形曝光，减少了掩模版数目，促成了更高的成品率，因此成为应用于10nm以下，比DUV多重曝光技术成本更低的一种光刻技术。

  然而，当工艺推进至5nm节点时，即使采用EUV技术，也有必要进行双重曝光，这样才能轻松的获得更为紧密的图案间距。

  另外必须要格外注意的是，根据摩尔定律，芯片集成的晶体管数目与日俱增，尽管对工艺的要求慢慢的升高，但行业始终面临着相当大的瓶颈——即分辨率的提高，而现实是更小波长的光刻机难于制造。

  因此考虑到在最先进的工艺下单掩膜 EUV 分辨率面临的挑战以及双重曝光 (DP) 光刻-蚀刻-光刻-蚀刻 (LELE) 工艺固有的对齐问题，自对齐多重曝光工艺发展为行业趋势。

  现下，最常见的自对齐多重曝光技术被称为自对齐双重曝光 (SADP)，同时SADP 中所用的技术也可轻松沿用至自对齐四重曝光 (SAQP)。

  但问题又来了：在使用掩膜印制电介质阻挡的过程中，通常缩小至小于新工艺的间距会增加工艺变异，从而增加对阻挡的可印制性约束。因此，必须优化阻挡形状的放置，然而通过添加冗余金属的技术则必须要考虑增加的电容问题。

  所以自对齐光刻-蚀刻-光刻-蚀刻（SALELE ）工艺出现了，其不添加任何冗余金属，意味着没有额外的电容，可以说，该技术结合了自对齐多重曝光和 LELE 工艺多个方面。

  如今，自对齐多重曝光工艺已成为最先进工艺的必要条件，可避免与 DP/TP/QP LEn工艺相关的未对齐问题，并提高了图形保真度；而这其中，IMEC 和 Mentor共同创建、优化、设计和支持的可用来生产的SALELE 工艺，则具备一些更有前景的优势。关键字：引用地址：EUV光刻技术的杰作，5nm及以下节点的多重曝光工艺

  8 月 22 日消息，外界一致认为，iPhone 14 Pro 和 iPhone 14 Pro Max 搭载的 A16 仿生芯片是采用台积电的 4 纳米工艺制造的，然而据爆料的人偷偷表示，该芯片在苹果内部被标记为 5 纳米芯片，而不是 4 纳米芯片。 爆料者 URedditor 表示，A16 仿生芯片在苹果内部被标记为 5 纳米芯片。这可能解释了为什么在新的 14 英寸和 16 英寸 MacBook Pro 型号中发现的 M2 Pro 和 M2 Max，在苹果公司的新闻稿中被提及是在 5 纳米工艺上大规模生产的，而不是 4 纳米工艺。 A17 仿生芯片则肯定会采用台积电最先进的 3 纳米工艺，由于从 5 纳米转变到 3 纳米，A16

  芯片，但却被宣传为 4nm /

  截止8月21日收盘，A股三大指数今日集体收涨，其中上证指数收报3380.68点，上涨0.50%；深成指收报13478.00点，上涨1.18%；创业板指表现较强，收报2632.45点，上涨1.72%。两市合计成交8442亿元，北向净流入31.86亿元。 从盘面上看，餐饮、云游戏、造纸居板块涨幅居前，农业、数字货币、钢铁居板块跌幅居前。两市2401家个股上涨，1330家个股下跌。其中涨停家数66家，跌停家数6家。市场情绪有所修复，3连板以上个股有3家。 半导体板块小幅下跌。集微网从电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封测、分销等领域选取了112家半导体公司作了统计，其总市值下跌0.26%。 在112家半导体公司中，52家

  芯片的封测能力 /

  6月1日，在半导体工艺落后世界领先水平20多年之后，日本去年决心要重振晶圆制造，丰田、索尼、瑞萨等8家行业巨头联合成立了Rapidus公司，计划最快在2025年搞定2nm EUV工艺。 日本当前的工艺也就是45nm水平，立即进入2nm无异于弯道超车，为此Rapidus公司跟美国IBM公司达成了合作，要从后者那里获得2nm技术授权。 Rapidus公司将派出100名工程师到IBM公司学习，将获得2nm工艺生产所需的GAA环绕栅极晶体管技术，这是实现2nm的关键。 此前的4月份Rapidus已经派出一批工程师到IBM商谈合作了。 根据Rapidus公司的建设规划，他们将在日本北海道地区建立晶圆厂，2023年9月份开工，2

  英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限？不过，英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光（EUV），以及开始采用包括砷化铟镓（InGaAs）及磷化铟（InP）等三五族半导体材料。 摩尔定律能否持续走下去，主要重点是微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积电、三星等大厂，主要是采用多重曝光（multi-patterning）的浸润式微影（immersion lithography）技术，但当制程技术走到10奈米世代时，高密度的逻辑IC有必要进行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。

  车用芯片对制程工艺的跟进力度往往落后于消费电子芯片。然而，恩智浦近日宣布，将在下一代高性能汽车平台中采用台积电的5纳米制程。恩智浦将当前最先进的量产制程用于汽车SoC开发，折射出汽车产业对于半导体需求的变化。在智能化趋势下，汽车行业成为半导体细致划分领域成长最快的市场之一，也从性能、安全、整合性等多个层面，对半导体供应商提出了新的挑战。 无人驾驶对车用半导体提出新需求 在网络化、电气化、智能化趋势推动下，汽车慢慢的变成了“轮子上的数据中心”，汽车半导体用量迅速提升。Gartner多个方面数据显示，全世界汽车半导体市场2019年销售规模达410.13亿美元，预计2022年有望达到651亿美元，占全球半导体市场规模的比例有望达到12%，

  ，自动驾驶还有多远？ /

  电子网消息，据传制程微缩必备的极紫外光微影设备(EUV)，可能会被三星几乎买断，藉此妨碍对手。 韩媒BusinessKorea 20日报导，业界消息称，三星正向荷兰业者艾司摩尔(ASML)洽谈，打算购买10台EUV设备。 EUV极为昂贵，一台要价2,000亿韩圜(约1.8亿美元)，艾司摩尔是全球唯一的EUV生产商，今年只制造12台，要是其中10台都被三星订走，其他厂商买不到设备，只能跳脚。 外界认为，三星买断EUV机台，可以强化7纳米以下制程的竞争力，并可搞小动作，阻碍对手。 如此一来，台积电、GlobalFoundries、英特尔都很难买到设备，不易发展次世代的微缩制程。 三星在OLED市场用过相同招数，尝到甜头，可能打算故技重

  联发科今年的5G处理器赢得了华米OV在内的大厂订单，业绩大涨，天玑系列功不可没。今年除了天玑1000/800/700系列之外，很快还会有新一代的高端5G天玑芯片，用上ARM G78 CPU及G77 GPU核心。 据消息人士爆料，联发科很快会推出新的MT689X处理器，升级台积电6nm工艺，架构跟三星的Exynos 1080差不多，也就是说CPU会上ARM的Cortex-A78，GPU泽是Mali-G77，不过GPU多少核还不确定。 根据给出的信息来看，这个处理器的安兔兔跑分在60万左右，意味着跟骁龙865差不多，落后于麒麟9000、Exynos 1080。 当然，与天玑1000处理器通常50万分的成绩相比，这个新款6nm处理器

  半导体芯片公司都绕不开摩尔定律这一个话题，这个定律是Intel联合创始人戈登·摩尔在1965年提出来的，指引了50多年来半导体产业的发展——每2年芯片的晶体管密度就会提升一倍，性能也会提升一倍。 但是在进入10nm及以下工艺之后，摩尔定律一直被认为是失效了，芯片制造越来越难，成本也慢慢变得高，性能翻倍、成本降低已经很难同时做到了。不过在这样的一个问题上，Intel一直坚定捍卫摩尔定律，不承认失效的问题。 AMD公司CEO苏姿丰日前参加了SEMICON West会议，并发表了主题演讲，她就提到了半导体工艺与摩尔定律的问题，AMD的观点倒是很符合Intel的想法，那就是摩尔定律还会继续有用，但已经放慢了。 苏姿丰以CPU、GP

  芯片成本将翻5倍 /

  高级CC++编译技术(Advanced C and C++ Compiling) (Milan Stevanovic (译)卢誉声)

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  2024年2月29日【山东，济南】2月29日，美的光伏以“光生万物、智慧未来”为主题亮相亚太地区最具影响力的分布式能源全产业链行业盛会，2024 ...

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